Характеристики Память оперативная Samsung M378A2G43CB3-CWED0
Частота3200
CAS Latency (CL)22
RAS to CAS Delay (tRCD)22
НизкопрофильнаяНет
РадиаторНет
Общий объем памяти16
Row Precharge Delay (tRP)22
Объем одного модуля16
Пропускная способностьPC4-25600
Форм-фактор памятиDIMM
Тип памятиDDR4
Количество модулей в комплекте и объем1
Небуферизованный модуль DIMM.Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.
Небуферизованный модуль DIMM.Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.